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JOS 10位編委入選“高被引科學家”名單2019年11月19日,科叡唯安學術研究事業部公布本年度“高被引科學家”名單,遴選出全球自然科學和社會科學的頂尖人才。全球近60個國家的6216人次來自各領域的高被引科學家入榜,Journal of Semiconductors 10位編委入榜。在此,JOS編輯部對入榜編委表示熱烈祝賀!JOS入選“高被引科學家”編委名單編委李京波在本刊發表的文章(近三年)N J Huo錛 Y J Yang錛 J B Li. Optoelectronics based on 2D TMDs and heterostructures[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(3): 031002. doi: 10.1088/1674-4926/38/3/031002.J B Li錛 X R Wang. Preface to the Special Topic on 2D Materials and Devices[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(3): 031001.doi: 10.1088/1674-4926/38/3/031001.編委譚平恆在本刊發表的文章(近三年)X Cong錛 M L Lin錛 P H Tan錛 Lattice vibration and Raman scattering of two-dimensional van der Waals heterostructure[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(9): 091001. doi: 10.1088/1674-4926/40/9/091001.Z Q Zhou錛 Y Cui錛 P H Tan錛 X L Liu錛 Z M Wei錛 Optical and electrical properties of two-dimensional anisotropic materials[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(6): 061001. doi: 10.1088/1674-4926/40/6/061001.P H Tan錛 L J Zhang錛 L Dai錛 S Y Zhou錛 Preface to the Special Issue on 2D-Materials-Related Physical Properties and Optoelectronic Devices[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(6): 060101. doi: 10.1088/1674-4926/40/6/060101.P H Tan. Signatures of moire excitons[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(4): 040202. doi: 10.1088/1674-4926/40/4/040202.P H Tan. Detecting forbidden Raman modes[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(1): 010203. doi: 10.1088/1674-4926/40/1/010203.Q H Tan錛 X Zhang錛 X D Luo錛 J Zhang錛 P H Tan. Layer-number dependent high-frequency vibration modes in few-layer transition metal dichalcogenides induced by interlayer couplings[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(3): 031006. doi: 10.1088/1674-4926/38/3/031006.編委唐江在本刊發表的文章(近三年)Q Yan錛 L Gao錛 J Tang錛 H Liu錛 Flexible and stretchable photodetectors and gas sensors for wearable healthcare based on solution-processable metal chalcogenides[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(11): 111604. doi: 10.1088/1674-4926/40/11/111604.編委王欣然在本刊發表的文章(近三年)W S Li錛 H K Ning錛 Z H Yu錛 Y Shi錛 X R Wang錛 Reducing the power consumption of two-dimensional logic transistors[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(9): 091002. doi: 10.1088/1674-4926/40/9/091002.S X Wang錛 Z H Yu錛 X R Wang錛 Electrical contacts to two-dimensional transition-metal dichalcogenides[J]. J. Semicond.錛 2018錛 39(12): 124001. doi: 10.1088/1674-4926/39/12/124001.J B Li錛 X R Wang. Preface to the Special Topic on 2D Materials and Devices[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(3): 031001. doi: 10.1088/1674-4926/38/3/031001.編委趙一新在本刊發表的文章(近三年)A H Jia錛 M Kan錛 J P Jia錛 Y X Zhao. Photodeposited FeOOH vs electrodeposited Co-Pi to enhance nanoporous BiVO4 for photoelectrochemical water splitting[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(5): 053004. doi: 10.1088/1674-4926/38/5/053004.N J Guo錛 T Y Zhang錛 G Li錛 F Xu錛 X F Qian錛 Y X Zhao. A simple fabrication of CH3NH3PbI3 perovskite for solar cells using low-purity PbI2[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(1): 014004. doi: 10.1088/1674-4926/38/1/014004.編委遊經碧在本刊發表的文章(近三年)Y Chen錛 Y Zhao錛 Q F Ye錛 Z M Chu錛 Z G Yin錛 X W Zhang錛 J B You錛 Improved efficiency and photo-stability of methylamine-free perovskite solar cells via cadmium doping[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(12): 122201. doi: 10.1088/1674-4926/40/12/122201.J B You錛 Perovskite plasmonic lasers capable of mode modulation[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(7): 070203. doi: 10.1088/1674-4926/40/7/070203.J B You . Rational molecular passivation for high-performance perovskite light-emitting diodes[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(4): 040203. doi: 10.1088/1674-4926/40/4/040203.X J Qin錛 Z G Zhao錛 Y D Wang錛 J B Wu錛 Q Jiang錛 J B You. Recent progress in stability of perovskite solar cells[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(1): 011002. doi: 10.1088/1674-4926/38/1/011002.J B You. Preface to the Special Topic on Perovskite Solar Cells[J]. J. Semicond.錛 2017錛 38(1): 011001. doi: 10.1088/1674-4926/38/1/011001.編委曾海波在本刊發表的文章(近三年)P X Bai錛 S Y Guo錛 S L Zhang錛 H Z Qu錛 W H Zhou錛 H B Zeng錛 Electronic band structures and optical properties of atomically thin AuSe: first-principle calculations[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(6): 062004. doi: 10.1088/1674-4926/40/6/062004.編委魏蘇淮在本刊發表的文章(近三年)X F Cai錛 P Zhang錛 S H Wei錛 Revisit of the band gaps of rutile SnO2 and TiO2: a first-principles study[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(9): 092101. doi: 10.1088/1674-4926/40/9/092101.R Y Cao錛 H X Deng錛 J W Luo錛 S H Wei錛 Origin of the anomalous trends in band alignment of GaX/ZnGeX2 (X = N錛 P錛 As錛 Sb) heterojunctions[J]. J. Semicond.錛 2019錛 40(4): 042102. doi: 10.1088/1674-4926/40/4/042102.S H Wei 錛 J W Luo錛 B Huang錛 Preface to the Special Topic on Semicconductor Materials Genome Initiative: New Concepts and Discoveries[J]. J. Semicond.錛 2018錛 39(7).詳情請見2019年度“高被引科學家”完整名單鏈接:https://recognition.webofsciencegroup.com/awards/highly-cited/2019/長按或掃描二維碼關注獲得更多信息柔性可穿戴傳感器可以獲取壓力、溫度、光學輸入、化學環境以及人體生理和生物學參數信號,這對于機器人技術和健康是至關重要的,由此決定了人們對柔性可穿戴傳感器的迫切需要。從基礎層面來看,我們在如何設計和制造具有生物相容性且堅固性和機械柔韌性良好的材料,以及如何獲得高性能、低功耗和良好系統集成性的傳感器方面仍然面臨著巨大的挑戰。在實際應用中,各種傳感器在與柔性基板、信號處理和電源單元的集成方面也面臨困難。隨著物聯網(IoT)的快速發展,智能傳感器也將相互連接以形成傳感器網絡,從而為我們未來的智能生活提供大數據,所有這些將對我們的社會產生深遠的社會經濟影響。《半導體學報》組織了一期“機器人技術和健康監測用柔性可穿戴傳感器”專刊,並邀請香港科技大學範智勇教授、香港城市大學何頌賢教授、美國聖路易斯華盛頓大學王川教授、青島大學龍雲澤教授和華中科技大學劉歡教授共同擔任特約編輯。該專題已于2019年第11期正式出版並可在線閱讀,歡迎關注。本專刊包含10篇高質量的綜述/研究文章,涵蓋了包括生物相容性柔性材料的制造、柔性納米結構模式、用于健康監測的柔性pH傳感器、基于一維材料的柔性光電探測器、柔性電極和納米發電機,柔性壓力傳感器和氣體/化學傳感器等在內的多個主題。除柔性材料和設備外,本專刊還介紹了人工智能傳感器系統的設計和應用進展。 歡迎關注!閱讀!引用! 歡迎關注!閱讀!引用! 歡迎關注!閱讀!引用!1. 基于人工智能的智能氣體傳感器陣列近二十年來,人類步入了物聯網時代,誕生了智能機器人,對現代人的生產生活帶來了巨大的變革,機器人科技也成為全球經濟增長的引擎之一。隨著視覺、聽覺、觸覺、嗅覺等柔性傳感器技術的進步,仿照人類形態設計的類人機器人成為機器人家族的一個新寵兒。作為核心傳感器技術之一的嗅覺傳感器,相對于其他三類傳感器而言,發展稍顯滯後,迫切需要一個通用的基礎器件,實現多種氣體分子的檢測于識別。氣體傳感器陣列(GSA),通常也稱為電子鼻系統,為機器嗅覺系統提供了一個可能的方案。在柔性智能氣體傳感器陣列綜述中,香港科技大學範智勇教授等討論了機器嗅覺從器件、電路到算法設計整個系統,歸納了近些年在半導體類型氣體傳感器和GSA算法方面的研究成果,分析了柔性嗅覺產生機理,總結了柔性氣體傳感器陣列的制備工藝和核心設計思路。並重點探討GSA的基礎器件和AI算法研究研究的關鍵問題及其解決方法,最後呈現了在整個智慧家庭和智慧城市的背景中GSA應用的前景。圖1. 採用不同技術制作的智能氣體傳感器陣列,在空氣和水質監測、無創性疾病檢測、危險氣體洩漏報警等領域顯示出巨大的應用潛力。Smart gas sensor arrays powered by artificial intelligenceZhesi Chen錛 Zhuo Chen錛 Zhilong Song錛 Wenhao Ye and Zhiyong FanJ. Semicond. 2019錛 40(11)錛 111601doi: 10.1088/1674-4926/40/11/111601Full text2. 基于一維納米結構的柔性光電探測器的研究進展傳統光電探測器遍布我們生活的各個方面,無論是從智能手機到汽車,